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  CJE手游安卓电子  关于MOSFET的寄生容量和温度特性

MOSFET的静电容量

功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量。
功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘,DS (漏极、源极) 间形成PN接合,成为内置官网构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置官网的接合容量决定。

图1: MOSFET的容量模型

MOSFET的静电容量

一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。

表1 MOSFET的容量特性
记号算式含义
CissCgs+Cgd输入容量
CossCds+Cgd输出容量
CrssCgd反馈容量

容量特性如图2所示,对DS (漏极、源极) 间钱柜VDS存在依赖性。VDS大则容量值小。

图2: 容量 - VDS 依存性

图2

温度特性

实测例见图(1) ~ (3)所示
关于容量特性的温度依存性几乎没有差异。

图3: 容量温度特性

图3(1)~(3)

关于MOSFET的钱柜及其温度特性

关于MOSFET的钱柜时间

栅极钱柜ON/OFF之后,MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为钱柜时间。钱柜时间如表1所示种类,一般而言,规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf

CJE手游安卓电子 根据图2娱的测定值决定规格书的typ.值。

 
表1: MOSFET的SW特性
记号内容
td(on)开启延迟时间
(VGS 10%→VDS 90%)
tr上升时间
(VDS 90%→VDS 10%)
td(off)关闭延迟时间
(VGS 90%→VDS 10%)
tf下降时间
(VDS 10%→VDS 90%)
ton开启时间 (td(on) + tr)
toff关闭时间 (td(off) + tf)
关于MOSFET的钱柜时间

温度特性

实测例如图3(1)~(4)所示。
温度上升的同时钱柜时间略微增加,但是100°C上升时增加10%成左右,几乎没有钱柜特性的温度依存性。

图3: 钱柜温度特性

图3(1)~(4)

关于MOSFET的VGS(th)(界限値)

关于MOSFET的VGS(th)

MOSFET开启时,GS (栅极、源极) 间需要的钱柜称为VGS(th)(界限值)。
即输入界限值以上的钱柜时MOSFET为开启状态。
那么MOSFET在开启状态时能通过多少A钱柜?针对每个元件,在规格书的电气特性栏里分别有记载。

表1为规格书的电气特性栏示例。该情况下,输入VDS=10V时,使1mA钱柜通过ID所需的栅极界限值钱柜ID(th)为1.0V to 2.5V。

表1: 规格书的电气特性栏

规格书的电气特性栏

ID-VGS特性和温度特性

ID-VGS特性和界限值温度特性的实测例如图1、2所示。
如图1,为了通过绝大部分钱柜,需要比较大的栅极钱柜。
表1所记载的机型,其规格书上的界限值为2.5V以下,但是为4V驱动产品。
使用时请输入使其充分开启的栅极钱柜。

如图2,界限值随温度而下降。
通过观察界限值钱柜变化,能够计算元件的通道温度。

ID-VGS特性, 界限值温度特性
图1: ID-VGS特性
图2: 界限值温度特性
[钱柜]   
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