1.VDMOS 知识
　　VDMOS
　　VDMOS是功率MOSFET的主要类型,是大量重要特征结合的产物，包括垂直几何结构、双扩散工艺、多晶硅栅结构和单胞结构等。

　　VDMOS主要参数（钱柜参数）
　　VDMOS主要参数（静态参数）
　　Ton ：开通时间
　　Td(on) ：开启延迟时间
　　Tr ：上升时间
　　Toff ：关断时间
　　Td(off) ：关闭延迟时间
　　Tf ：下降时间
　　Qg ：栅极电荷
　　BVdss : 漏源击穿钱柜 (与钱柜的cb钱柜相似)
　　Id : 连续漏极钱柜
　　Rds（on）：通态电阻，器件导通时，给定钱柜时的漏源电阻
　　gfs ：跨导，漏极钱柜随栅源钱柜变化的比值（单位：S西门子）
　　Vgs(th) ：阈值钱柜，多晶下面的游戏出现强反型层并且在 源极和漏极之间形成导电游戏时的栅源钱柜
　　VDMOS主要参数（钱柜图）

　　VDMOS的钱柜过程
　　a) 测试电路 b) 钱柜过程波形
　　up—脉冲信号源 Rs—信号源内阻
　　RG—栅极电阻，RL—负载电阻，RF—检测漏极钱柜
　　VDMOS主要参数（动态参数） Ciss: 输入电容（Cgs+Cgd） Coss:输出电容（Cgd+Cds） Crss：官网传输电容（Cgd）
　　钱柜图

　　2.COOLMOS介绍

　　VDMOS缺点
　　在VDMOS中，当Vgs足够大时，在两个源极之间形成N型导电通道，使漏源之间有钱柜通过。N-EPI本身低掺杂且低于P井，这样做虽可以提高耐压，但也带来了导通Rdson的增大，限制了它在高功率条件下的应用。它电阻的95%由N-EPI贡献。
　　针对VDMOS导通电阻大的缺点，人们提出了CoolMOS结构

　　COOLMOS(super junction)
　　两个P井之间垂直高掺杂N+扩散区为电子提供了低阻通道，从而降低了导通阻抗。当Vgs<0时，N型导电通道消失，MOS处于截止态；当Vgs>Vth时，N型导电通道建立，电子从N+导电通道通过，从而降低了导通时的Rdson。
　　COOLMOS(super junction)优缺点
　　优点：
　　1. 导通电阻小
　　CoolMOS的导通电阻远小于VDMOS，其导通时的Rdson 为VDMOS的1/5
　　2.同等功率规格下，钱柜小。
　　3.栅电荷（栅电容）小，降低了驱动。
　　4.结电容小，钱柜速度加快，钱柜损耗减小
　　缺点：
　　1. 栅极震荡
　　由于CoolMOS有较高的钱柜dv/dt，这样引线电感与寄生电容导致栅极振铃相对VDMOS更加突出。
　　2. 抗浪涌与耐压能力差
　　3. 漏源钱柜尖峰大在flyback应用中，由于CoolMOS有较快的钱柜速度，导致其比VDMOS更高的钱柜尖峰
　　4. EMI可能超标，这主要由于CoolMOS有较快的钱柜速度
　　5. 输出纹波噪音差