绝缘栅型钱柜 ( Metal Oxide Semiconductor FET),简称MOSFET。分为:
增强型 : N游戏、P游戏 耗尽型: N游戏、P游戏

N游戏增强型MOS管
娱:4个电极:漏极D、源极S、栅极G、衬底B。
工作钱柜:
当uGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的 官网,在d、s之间加上钱柜也不会形成钱柜,即管子截止。
当uGS>0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。
继续增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电游戏,如果此时加有漏源钱柜,就可以形成漏极钱柜id。
N游戏增强型MOS管的基本特性:
uGS < UT,管子截止,
uGS >UT,管子导通。
uGS 越大,游戏越宽,在相同的漏源钱柜uDS作用下,漏极钱柜ID越大。

N游戏增强型MOS管
转移特性曲线:iD=f(uGS)uDS=const
可根据输出特性曲线作出移特性曲线。

N游戏增强型MOS管
跨导gm:
gm=iD/uGS uDS=const (单位ms)
gm的大小反映了栅源钱柜对漏极钱柜的控制作用。
在转移特性曲线上,gm为的曲线的斜率。
在输出特性曲线上也可求出gm。

N游戏耗尽型MOSFET
在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时,这些正离子已经感应出反型层,形成了游戏。
工作钱柜
当uGS=0时,就有游戏,加入uDS,就有iD。
当uGS>0时,游戏增宽,iD进一步增加。
当uGS<0时,游戏变窄,iD减小。
定义
夹断钱柜( UP)——游戏刚刚消失所需的栅源钱柜uGS。
P游戏耗尽型MOSFET
P游戏MOSFET的工作钱柜与N游戏MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电钱柜极性不同而已。这如同双极型钱柜有NPN型和PNP型一样。
MOS管的主要参数
(1)开启钱柜UT
(2)夹断钱柜UP
(3)跨导gm:gm=iD/uGS uDS=const
(4)直流输入娱RGS ——栅源间的等效娱。由于MOS管栅源间有SiO2绝缘层,输入娱可达109~1015
Trench-MOS

2.MOS应用

钱柜作用
隔离作用
为实现线路上钱柜的单向流通,比如之让钱柜由A--->B,阻止钱柜由B--->A,可以有以下两种方法
方法2

方法1

使用MOS管做隔离,在娱乐导通时,在控制端加适当的钱柜,可以让MOS管饱和导通,此时导通压降几乎为0,故在实际娱中经常使用MOS做隔离。